Simulasi fabrikasi dan pencirian elektrik 90nm NMOS menggunakan perisian SILVACO / Zairi Ismael Rizman ... [et al.]

Rizman, Zairi Ismael and Yeap, Kim Ho and Miskon, Mohamad Taib and Mohd Fauzi, Fadhli Dzul Hilmi and Fadzal, Nazuha and Mohamad, Norizan (2013) Simulasi fabrikasi dan pencirian elektrik 90nm NMOS menggunakan perisian SILVACO / Zairi Ismael Rizman ... [et al.]. e-Academia Journal, 2 (2). pp. 92-109. ISSN 2289 - 6589

Official URL: https://e-ajuitmct.uitm.edu.my/v3/

Abstract

Kertas penyelidikan ini menerangkan tentang kaedah merekabentuk 90nm semikonduktor logam oksida jenis-n, NMOS (N-Type Metal Oxide Semiconductor) menggunakan perisian SILVACO. Simulasi fabrikasi 90nm NMOS dilakukan dengan menggunakan modul ATHENA, manakala kajian ciri-ciri elektrik pula dilakukan dengan menggunakan modul ATLAS. Demi memperolehi pencirian elektrik yang sahih, peraturan penskalaan telah diaplikasikan. Peraturan penskalaan medan tetap telah digunapakai di dalam parameter-parameter seperti panjang saluran efektif.

Item Details

Item Type:	Article
Creators:	Creators Email / ID Num. Rizman, Zairi Ismael zairi576@tganu.uitm.edu.my Yeap, Kim Ho yeapkh@utar.edu.my Miskon, Mohamad Taib moham424@tganu.uitm.edu.my Mohd Fauzi, Fadhli Dzul Hilmi fadhlidzul@tganu.uitm.edu.my Fadzal, Nazuha nazuha@tganu.uitm.edu.my Mohamad, Norizan norizanm@tganu.uitm.edu.my
Subjects:	Q Science > QC Physics > Electricity and magnetism > Electricity > Electric current (General) > Electric conductivity > Semiconductor physics
Divisions:	Universiti Teknologi MARA, Terengganu > Dungun Campus > Faculty of Electrical Engineering
Journal or Publication Title:	e-Academia Journal
UiTM Journal Collections:	UiTM Journals > e-Academia Journal (e-AJ)
ISSN:	2289 - 6589
Volume:	2
Number:	2
Page Range:	pp. 92-109
Keywords:	NMOS, 90nm, SILVACO, ATHENA, ATLAS
Date:	2013
URI:	https://ir.uitm.edu.my/id/eprint/82941

: Edit Item

Downloads & Files

Text
82941.pdf

Download (325kB)

Indexing & Metrics